알루미늄 질화물 (ALN)은 우수한 포괄적 인 특성을 가진 새로운 유형의 세라믹 재료입니다. 그것은 우수한 열전도율, 신뢰할 수있는 전기 절연, 낮은 유전 상수 및 유전체 손실, 비 독성 및 실리콘과 호환되는 열 팽창 계수를 갖는다. 일련의 우수한 특성은 고도로 농축 된 반도체 기판 및 전자 장치 유리 세라믹 바 포장에 이상적인 재료로 간주됩니다.
질화증 알루미늄의 열 전도도는 산화 베릴륨의 열전도율에 가깝습니다. Al2O3 기판의 열 전도도는 낮으며 열 팽창 계수는 SI와 그다지 호환되지 않습니다. BEO는 포괄적 인 성능이 뛰어나지 만 생산 비용이 높고 독성이 높은 단점은 적용 및 홍보를 제한합니다. 다른 세라믹 재료와 비교하여, 알루미늄 질화물 세라믹은 우수한 포괄적 인 특성을 가지며 반도체 기판 및 구조 포장에 매우 적합합니다. 전자 산업의 재료의 잠재력은 엄청납니다.
Hard Precision Ceramic, Advanced Ceramics Division은 세라믹 재료의 주요 공급 업체입니다. 우리는 우수한 사양과 경쟁력있는 가격으로 알루미늄 질화물 세라믹 제품을 공급합니다.
알루미늄 질화물은 우수한 가공 가능한 세라믹 플랜지 전체 성능을 갖춘 세라믹 재료이며, 열전도도는 알루미나 세라믹보다 7 배 높습니다. 동시에, 알루미나와 비교하여 유전 상수, 우수한 전기 특성, 실리콘과 유사한 열 팽창 속도, 높은 비 강도, 저밀도, 비 독성 및 기타 특성을 갖습니다. 마이크로 전자 기술의 개발로 인해 전자 부품은 소형화, 가벼움, 통합, 높은 신뢰성, 고전력 출력 등에 집중하고 있습니다. 더 복잡한 장치는 기판의 열 소산 및 캡슐화 재료의 더 높은 요구 사항을 가지고 있습니다. 이 상황은 AIN 세라믹 기판의 번성하는 발달을 더욱 촉진합니다. 다음 기사는 분말에서 최종 적용에 이르기까지 AIN 기판의 과정을 소개합니다.
알루미늄 질화물 분말을 제조하는 동안, 순도, 입자 크기, 산소 함량 및 기타 불순물 함량은 제품의 후속 열 전도성 및 후속 소결 및 형성 공정에 영향을 미치며 성능의 주요 요인이 될 것입니다. 최종 제품의. AIN 파우더는 직접 질화 방법, 탄소 열 감소 방법,자가 프로케이트 고온 합성 방법, 화학 기증 방법 등에 의해 합성됩니다. 전문 제조업체로서, 우리의 원료 준비 과정은 일반적으로 탄소 열 감소 형성 방법을 선택합니다. IS는, 알루미나 분말 및 탄소 분말의 혼합물은 아인 분말을 형성하기 위해 고온 (1400 ℃ ~ 1800 ℃)에서 흐르는 질소에서 질화물로 감소된다.
1. 뜨거운 압력 소결 : 즉, 특정 압력 하에서 세라믹의 소결, 동시에 가열 및 가압 형성, 미세한 곡물, 높은 상대 밀도 및 세라믹의 우수한 기계적 특성을 얻을 수 있습니다.
2. 압력이없는 소결 : 대기 압력의 일반적인 온도 범위 Ain Ceramics는 1600-2000 ℃입니다. 소결 온도를 적절하게 증가시키고 홀딩 시간을 연장하면 AIN 세라믹의 밀도를 향상시킬 수 있지만 강도는 상대적으로 낮습니다.
3. 마이크로파 소결 : 전자 레인지 소결은 또한 빠른 소결 방법이며, 배지와 전자 레인지 상호 작용을 사용하여 전자전 손실을 생성하여 전체 열이 발생합니다.
4. 배출 플라즈마 소결 : 가공 가능한 유리 세라믹 바 플라즈마 활성화, 뜨거운 프레스, 저항 난방 및 기타 기술 통합으로, 빠른 소결 속도와 균일 한 곡물 크기의 특성이 있지만 장비 비용은 높고 처리 된 크기의 크기가 높습니다. 공작물은 제한되어 있습니다.
5. 자체 추적 소결 : #Ain 세라믹 재료는 초고 압력 질소 하에서 자체 확대 고온 합성 반응에 의해 직접 준비됩니다. 그러나, 원료의 알루미늄이 고온 연소 반응 하에서 녹는 경향이 있기 때문에 고밀도 ALN 세라믹 기질을 얻는 것은 어렵다.
#AlnceramicsUbstrate 의 조밀 한 소결을 달성하려면 불순물 및 입자 경계 위상 함량을 줄이고 프로세스를 단순화하고 비용을 줄이기 위해 ALN 세라믹 소결 공정에는 세 가지 핵심 요소가 필요합니다. 1. 적절한 소결 공정의 선택; 2. 대기 통제; 및 3. 적절한 소결 보조 장치의 추가.
